許多壽命測量方法，如QSSPC、μPCD或CDI，以及MDP在極低的注入濃度下都存在異常高的測量壽命。這種效應是由于樣品中的捕獲中心造成的。這些捕獲中心對于了解材料中載流子的行為非常重要，并且也會(huì )對太陽(yáng)能電池產(chǎn)生影響。因此，需要以高分辨率來(lái)測量缺陷密度和這些缺陷中心的活化能。

借助MDPmap和MDPingot，可以通過(guò)一次測量來(lái)測量光電導率以及少數載流子壽命，并在寬注入范圍內實(shí)現全自動(dòng)測量。巧妙的算法可以確定樣品中的缺陷濃度。 

根據注入相關(guān)壽命曲線(xiàn)，可以確定低注入下的壽命τLLI，并且光電導率與修正后的HORNBECK和HAYNES模型相匹配。其中捕獲密度NT和活化能EA是擬合參數。 

在mc-Si和Cz-Si晶片上獲得了一個(gè)測量結果，并且可以確認缺陷密度和位錯密度之間的相關(guān)性。

不同缺陷密度下的光電導率與Gopt的比較以及測得的光電導率曲線(xiàn)的擬合

MDPmap可以以高分辨率測量注入相關(guān)的光電導率和壽命曲線(xiàn)，從而可以確定缺陷密度和捕獲中心的活化能。這樣就可以研究缺陷的起源及其對太陽(yáng)能電池效率等的影響。

若需了解更多信息，請閱讀：

[1] J. A. Hornbeck and J. R. Haynes, Physical Review 97, 311-321 (1955)

[2] D. Macdonald and A. Cuevas, Applied Physics Letters 74, 1710 - 1712 (1999)

[3] N. Schüler, T. Hahn, K. Dornich, J.R. Niklas, 25th PVSEC Valencia (2010) 343-346