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產(chǎn)品中心表面分析離子源系統GCIB 10SGCIB-10S 離子源系統
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簡(jiǎn)介：
GCIB-10S 離子源系統是一種高性能10千伏氣體團簇離子束，用于快速、低損傷濺射和更高質(zhì)量的表面分析。
GCIB 10S提供了大量有用的功能，包括實(shí)時(shí)集群大小測量和內置樣本電流成像系統，以幫助您充分利用實(shí)驗。
GCIB-10S 離子源系統具有完整的泵送系統和單獨軟件，是一種栓接式升級，將集束束濺射的力量引入現有的真空儀器，如XPS、SEM和SIMS。
主要參數：
| 主要應用 | 濺射 |
| 光斑尺寸 | 250 µm |
| 掃描范圍 | 7.5 x 7.5 mm |
| 能耗范圍 | 1 – 10 kV |
| 電流范圍 | 60 nA |
| 法蘭至機頭長(cháng)度 | 143 mm |
| 推薦工作距離 | 50 mm |
| 電源裝置 | 3U x 19’’ rack mountable unit |
| 電源要求 | 110-240VAC 13A 50/60Hz |
| 軟件要求 | PC running Windows 10 or later |
| 集成法蘭規格 | NW 63 CF |
特點(diǎn):
◇ 10kV氬團簇離子源，可選擇Ar1至>Ar3000的團簇；
◇ 實(shí)時(shí)集群測量和調整；
◇ 采樣電流成像；
◇ 光斑尺寸大，掃描范圍寬，可均勻去除材料；
◇ 易于安裝在許多高真空儀器上；
◇ 單獨軟件和基于web套接字的API，用于與第三方軟件集成
應用技術(shù)：
GCIB 10S可去除不定碳和其他表面污染，而不會(huì )損壞基材， 同時(shí)還可對有機物和聚合物等軟材料進(jìn)行無(wú)損傷深度剖析。
右圖顯示了分別使用Ar1和Ar2000蝕刻原始PET表面前后的C 1s 峰值。數據清楚地顯示了單原子Ar1束（紅色）造成的化學(xué)損傷，而光譜在暴露于A(yíng)r2000束（藍色）后幾乎保持不變
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